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150℃ 저온 반도체 적층 기술 개발…AI 반도체 집적 한계 넘었다 - 더테크
AI 요약
AI 반도체 성능 향상의 핵심인 집적도를 높이기 위해 150℃ 저온에서 반도체를 쌓는 새로운 적층 기술이 개발되었습니다. 기존 고온 공정으로는 열에 민감한 반도체 소재를 손상시킬 위험이 있었으나, 이번 저온 기술은 이러한 한계를 극복할 수 있게 합니다. 이를 통해 더 많은 수의 반도체 칩을 얇게 쌓아 올려 AI 연산에 필요한 성능을 크게 향상시킬 수 있을 것으로 기대됩니다. 이 기술은 AI 반도체 공급망 내에...